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氧化扩散炉应用于半导体器件、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺,可用于2-8英寸工艺尺寸.LPCVD是用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低.气体分子的平均自由程和扩散系数大,故可采用密集装片方式来提高生产率。 真空扩散炉应用于半导体器件、分立器件、光电子器件、电力电子器件、大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺,可用于2-8英寸工艺尺寸。
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